Číslo produktu výrobce:
TQM070NH04CR RLG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TQM070NH04CR RLG-DG
Popis:
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 54A (Tc) 46.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventář:
3480 Ks Nový Originál Skladem
13371986
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TQM070NH04CR RLG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
PerFET™
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Ta), 54A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
7V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2006 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
46.8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PDFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
TQM070
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
1801-TQM070NH04CRRLGTR
1801-TQM070NH04CRRLGDKR
1801-TQM070NH04CRRLGCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
G130N06S
MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
IPQC65R017CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
